I en ny transistor, som är av så kallad BJT-typ, höjs strömstyrkan till 20 ampere, från 6 ampere i den första produkten. Den klarar spänning på 600 volt. Den tänkta tillämpningen är framför allt framtida elhybridbilar.
Kiselkarbid har i årtionden undersökts som en lämplig halvledare för kraftelektronik, men ämnet har visat sig minst sagt svårbemästrat.