Intel tar stort kliv med
transistor på höjden

Enligt Intel kan den nya så kallade Tri-gate-transistorn arbeta med lägre spänning och har mindre strömläckage.

Intel planerar att introducera den i massproduktion med sin nya 22-nanometersteknik och de första processorerna i större volymer beräknas komma under slutet av 2011.

Med 22-nanometerstekniken blir Tri-gate-transistorerna enligt Intel upp till 37 procent snabbare vid låg spänning jämfört med traditionella transistorer producerade med dagens 32-nanometersteknik.

Sammantaget är tekniken viktig för användning både i mobila apparater och i stora serverparker, samtidigt som den bidrar till att hålla "Moores lag" vid liv – det vill säga ungefär att antalet transistorer per yta och deras kapacitet fördubblas vartannat år, samtidigt som pris och energiförbrukning minskar.

Intel presenterade Tri-gate-tekniken för första gången redan 2002. Den är ett exempel på så kallade multigatetransistorer – fälteffekttransistorer (FET) med tre styrelektroder (gate) i stället för normalt en.

De har länge setts som en möjlighet att öka effektiviteten i processorer, men problemet har varit att massproducera dem, vilket Intel nu klarar.

I en fälteffekttransistor styrs strömmen mellan elektroderna source och drain av den spänning som läggs på den isolerade styrelektroden gate.

I dagens halvledarkretsar med FET är strukturen i huvudsak tvådimensionell, med styrelektroden placerad ovanpå halvledarmaterialet kisel.

I den struktur som Intel nu ska börja massproducera sticker kislet för varje transistor upp som en liten fena från kiselplattan, och utöver styrelektroden på toppen sitter en styrelektrod på varsin sida om fenan.

Vinsten är dels att man kan ha större strömflöde i öppet läge och mindre läckage i slutet läge, dels att transistorerna kan packas tätare.

Intel ska använda Tri-gate-tekniken i kombination med 22-nanometersprocessen för att tillverka sin kommande processor som kallas Ivy Bridge.