Första IC-kretsen i grafen

Under det senaste året har flera enstaka komponenter av grafen tagits fram. Dit hör den grafentransistor på 155 GHz som IBM presenterade i april månad. Men fram till nu har ingen lyckats integrera komponenter av grafen med andra komponenter på ett och samma chip. Den krets som forskare vid IBM forskningslaboratorium J Watson Research Center i Yorktown Heights, NY, nu presenterar består av en grafentransistor som tillsammans med två spolar bildar en frekvensblandare.

Kretsen är designad för trådlös kommunikation och kommer göra det möjligt för mobiler att fungera på frekvenser de inte klarar i dag, uppger IBM i en pressrelease.

Grafen är ett material som är svårt att få att fästa vid metaller och de oxider som används vid dagens halvledartillverkning. IBM- forskaren Phaedon Avouris och hans kollegor löste problemet genom att framställa en tunn film av grafen på en skiva kiselkarbid. För att framställa transistorn, spolar och ledningsmönster krävdes fyra lager metall och två lager oxid. Tester ha visat att kretsen fungerar upp till 10 GHz och temperaturer upp till 127 grader.

Enligt IBM kan tillverkningsmetoden användas med den typ av optisk litografi som används i dagens halvledarfabriker.