En forskargrupp vid University of Illinois har utvecklat en helt ny typ av minne som kombinerar kolnanorör och ett fasväxlande material. Liksom flashminnet är det ickeflyktigt, vilket innebär att det behåller data när strömmen bryts. Men det är extremt energisnålt, snabbt och lagrar mer data på mindre utrymme.
Att använda fasväxlande material i minnen är ingen nyhet; tekniken har länge pekats ut som ett snabbare och snålare alternativ till flashminnen. Flera halvledartillverkare utvecklar sådana så kallade PCM-minnen där en ström får en legering att växla mellan två faser med olika resistans: en amorf fas med hög resistans och en kristallin med låg resistans.
