Fem framtidstekniker utmanar flashminnet

2008-12-18 13:45  

Inför framtiden finns det fem minnestekniker som utmanar flash. Den amerikanska experten Stefan Lai har listat för- och nackdelarna.

Vid elektronikkonferensen IEDM nu i veckan hävdade Stefan Lai, chef för kaliforniska minnesföretaget Being Advanced, att flashtekniken trots allt snart har nått vägs ände. Enligt tidningen Electronic Engineering Times listade han fem alternativa tekniker som kandiderar till att ta över efter flash, för att kapacitetsökningen ska kunna fortsätta i samma snabba takt som hittills.

• 3d-minnen med hål genom kiselbrickan. Enligt Stefan Lai skulle det dock inte spara kostnader.

• ”Cross-point”, 3d-minnen där minnescellerna ligger i korsningarna mellan två lager av ledare som läggs i kors och bildar ett rutnät. Där ligger begränsningen i den litografiska processen för etsa fram strukturen.

• Så kallade magnetoresistiva minnen, Mram.

• Fasväxlingsminnen. Dessa är Stefan Lais favorit, begränsningen ligger i materialen som används. (Se artikellänken om kolminnen intill denna text.)

• Resistiva ram-minnen, Rram. Ser lovande ut men ingen färdig kompakt krets har visats än, och uthålligheten är sämre än i fasväxlingsminnena.

Alexander Kristofersson

Kommentarer

Välkommen att säga din mening på Ny Teknik.

Principen för våra regler är enkel: visa respekt för de personer vi skriver om och andra läsare som kommenterar artiklarna. Alla kommentarer modereras efter publiceringen av Ny Teknik eller av oss anlitad personal.

  Kommentarer

Debatt