Snabbaste kiseltransistorn mot 800 GHz

Transistorn har tagits fram i ett samarbete mellan tyska och amerikanska forskare i ett projekt för att närma sig THz-hastigheter i rumstemperatur.

Det nya rekordet sattes med en krets av kisel och ett tunt lager germanium. Testet utfördes vid 4,3 Kelvin och en arbetsspänning på 1,7 volt. Kretsen är framställd med den kostnadseffektiva 130-nanometers Bi Cmos-tekniken.

Snabbare kretsar finns för specialfunktioner i signalprocessorer, radar o s v, men dessa är tillverkade av specialmaterial som galliumarsenid, indiumfosfid, galliumnitrid eller liknande.

Målet med kisel-germaniumkretsen är att ta fram en krets i ett material som är beprövat i elektronikindustrin, som är billigt och enkelt att tillverka.

John D Cressler vid Georgia Tech säger att kretskonstruktionen i den testade transistorn var väldigt konventionell, men att den ändå skulle kunna få praktisk användning i miljöer med extremt låga temperaturer, som i rymden.

Provad i rumstemperatur nådde man hastigheter på 417 GHz, vilket är snabbare än flertalet vanliga transistorer.

Resultatet visar att transistorer tillverkade i SiGe som når THz-hastigheter vid rumstemperatur inte är en omöjlighet, säger Bernd Tillack vid IHP i Frankfurt (Oder).