Digitalisering
Minstingen laddar mobilen supersnabbt
Fujitsu har tagit fram en effektiv mobilladdare baserad på gallium-nitridkretsar som laddar ett mobilbatteri på en tredjedel av tiden.
Publicerad
Det japanska företaget använder sig av en teknik som man började utveckla redan på 1980-talet kallad GaN Hemt (high electron-mobility transistor) som ger en ytterst kompakt laddare (volym 15,6 kubikcentimeter) med uteffekten 12 W och effektiviteten 87 procent.
Med de snabba kretsarna i elektroniken används mindre energi och laddningen av batteriet går på en tredjedel av tiden jämfört laddare baserade på kiselhalvledare med Mosfet-teknik.
Tekniken ska klara de hårdare krav på externa laddare som US Department of Energy beslutat ska träda i kraft i februari 2016.
En prototyp av laddaren har presenterats på en utställning av eko-produkter i Tokyo i december. Laddaren väntas vara klar för produktlansering budgetåret 2017. Fujitsu undersöker även hur tekniken ska kunna användas för än mer effektfulla kretsar som kan användas för att ladda större batterier i exempelvis bärbara datorer.
