Digitalisering

Nytt minne utmanar flashminnet

Tappar inte minnet

Ett genombrott hos japanska Fujitsu kan leda till att den nya minnestekniken RRam snart ersätter dagens flashminnen.

Publicerad

Japans halvledardrakar är på hugget. Fujitsu, Sharp, Sony, Matsushita liksom koreanska Samsung har alla sökt patent på upptäckter kopplade till den nya minnestekniken RRAM, Resistive Random access memory.

Tekniken bygger på att data skrivs in i ett tunt lager av metalloxid genom att en spänning läggs över minnescellen och påverkar dess elektriska motstånd. Ett högt motstånd tolkas sedan som en etta, medan ett lågt motstånd blir en nolla. Resultatet blir minnen som, liksom flashminnet, behåller data även när strömmen stängs av.

Prova Ny Teknik – 49 kr
för 1 månad


Tillgång till alla låsta artiklar, fördjupande kompendier,
premiumnyhetsbrev, samt e-tidningen.



Kom igång nu →


Förnyas till 299 kr/mån efter din provperiod. Ingen bindningstid. Avsluta enkelt.
Gäller endast nya prenumeranter.



Är du medlem i Sveriges Ingenjörer?

Aktivera ditt konto här