Ny germaniumkrets från transistorpionjär

2014-12-11 13:19  
Transistor med germanium som halvledare. Foto: Purdue Univ

Den första moderna Cmos-kretsen som använder germanium i stället för kisel som halvledare presenteras av Purdue University, en transistorpionjär.

Även om uppfinningen av transistorn brukar tillskrivas Bell Labs så kom halvledarmaterialet germanium som användes 1947 från forskare vid Purdue, säger professor Peide Ye vid Purdue University.

Nu tar Purdueforskarna än en gång germanium ett steg vidare som ersättning för kisel i Cmos-kretsar. Det beror att kiselkretsarna snart inte kan göras mindre. Men med germanium är det möjligt att fortsätta förminska transistorerna.

I sitt arbete visar forskarna hur det är möjligt att använda germanium för att tillverka två typer av transistorer för Cmos-kretsar.

Germanium har tidigare endast använts för att tillverka transistorer av p-typ. Forskarna visar att germanium även kan användas för att tillverka transistorer av n-typ.

Resultatet kommer att redovisas 15 - 17 december vid 2014 IEEE International Electron Devices Meeting i San Francisco.



Följ Ny Teknik på Facebook!

Håkan Abrahamson

Kommentarer

Välkommen att säga din mening på Ny Teknik.

Principen för våra regler är enkel: visa respekt för de personer vi skriver om och andra läsare som kommenterar artiklarna. Alla kommentarer modereras efter publiceringen av Ny Teknik eller av oss anlitad personal.

  Kommentarer

Debatt