25 nm i minsta minneskretsen

2011-05-05 12:33  

Japanska Elpida lanserar ett 2-gigabit DDR3 Sdram och använder sig av 25 nanometersteknik, den minsta i branschen.

Enligt Elpida är man först i världen med 25 nanometersteknik för den här sortens kretsar. Med 25 nm-processen sparar man 30 procent yta jämfört med 30 nm-teknik. Antalet kretsar som kan framställas från en wafer är 30 procent högre än för 30 nm-tekniken.

Tekniken sänker dessutom energiförbrukningen med 15 procent vid aktivitet och 20 procent i standbyläge.

I slutet av året räknar Elpida även med att kunna tillverka 4-gigabit DDR3 Sdram med samma 25 nanometersteknik. Jämfört med 30 nm-processen blir antalet kretsar som kan framställas ur en wafer 44 procent högre, uppger Elpida i ett pressmeddelande.

Kretsarna arbetar vid hastigheten 1866 Mbps, och är även anpassade för höghastighets lågspänningsteknik 1,35 V (1600 Mbps).

Håkan Abrahamson

Kommentarer

Välkommen att säga din mening på Ny Teknik.

Principen för våra regler är enkel: visa respekt för de personer vi skriver om och andra läsare som kommenterar artiklarna. Alla kommentarer modereras efter publiceringen av Ny Teknik eller av oss anlitad personal.

  Kommentarer

Debatt