Supermaterialet grafen lockar såväl halvledarjättar som forskningsinstitut världen över. Förklaringen ligger i de extremt goda elektriska, optiska och mekaniska egenskaperna.

Nu har en forskargrupp vid IBM demonstrerat den snabbaste grafenkomponenten hittills. Rekordtransistorn, som klarar 100 gigahertz, presenteras i senaste numret av den vetenskapliga tidskriften Science.

– Det här genombrottet visar tydligt att grafen kan användas för att tillverka högpresterande komponenter och integrerade kretsar, säger T.C Chen på IBM Research i ett uttalande.

Forskarna tillverkar tunna lager av grafen på skivor av kiselkarbid (SiC) med hjälp av epitaxi, en metod för ordnad tillväxt av kristallstrukturer som traditionellt används i halvledartillverkning.

Transistorn har ganska grova dimensioner. Den så kallade kanallängden, som är ett vanligt mått på halvledarprocesser, är ”hela” 240 nanometer. Forskarna tror därför att det finns goda möjligheter att förbättra prestanda ytterligare genom att krympa processen. De noterar även att grafentransistorn är mer än dubbelt så snabb som kiseltransistorer som tillverkas i motsvarande dimensioner.

Fotnot:Grafen uttalas med betoning påe. Materialet består av ett enda lager kolatomer i ett hönsnätsliknande mönster.