Fälteffekttransistor med lager av grafen. Tunnelströmmen mellan grafenlagren kan styras med en pålagd spänning (klicka på bilden).
Grafen har tagit ytterligare ett steg mot att ersätta kisel i halvledarkretsar genom en ny transistordesign av två nobelpristagare. I processen appliceras atomtunna lager av olika material.
Det är forskarna Andre Geim och Konstantin Novoselov vid University of Manchester – de två som belönades med Nobelepriset 2010 för sin forskning kring grafen – som nu åstadkommit en ny transistordesign med det atomtunna kolmaterialet.
