Antiferromagnet lagrar data tusen gånger snabbare

2016-01-15 15:31 Håkan Abrahamson  

Forskare har nu lyckats kontrollera det elektriska flödet i antiferromagneter som banar vägen för nya snabba minnen.

Det är fysiker vid universitetet i Nottingham som tillsammans med kolleger i Tjeckien, Polen och Tyskland deltagit i forskningen, som letts av doktor Peter Wadley.

Det nya minnet har egenskaper som gör det mycket användbart i modern elektronik. Det skapar inga magnetfält, vilket betyder att data kan packas tätare.

Dessutom är antiferromagnetiska minnen okänsliga för magnetfält och strålning, vilket är en fördel i rymdsammanhang och i flygelektronik.

Genom att låta en kristallstruktur av CuMnAs växa fram i vakuum atomlager för atomlager har man fått fram ett material som kan kontrolleras med elektriska pulser.

Fördelen med dessa minnen är att de inte är känsliga för magnetisk påverkan, att de är robusta och betydligt snabbare än magnetiska minnen.

Resultaten har publicerats i Science.

Håkan Abrahamson

Kommentarer

Välkommen att säga din mening på Ny Teknik.

Principen för våra regler är enkel: visa respekt för de personer vi skriver om och andra läsare som kommenterar artiklarna. Alla kommentarer modereras efter publiceringen av Ny Teknik eller av oss anlitad personal.

Här är reglerna för kommentarerna på NyTeknik

  Kommentarer

Dagens viktigaste nyheter

Aktuellt inom

Senaste inom

Debatt